Intel представила прототип передовой Z-памяти: Потенциальный конкурент HBM для ИИ

В разгар дефицита высокопроизводительной памяти Intel сделала важный шаг к возвращению в сегмент DRAM. На мероприятии Intel Connection Japan 2026 компания совместно с дочерней структурой SoftBank — SAIMEMORY — впервые показала рабочий прототип технологии Z-Angle Memory (ZAM). Это вертикально-стековая память нового поколения, которая позиционируется как более эффективная альтернатива доминирующей сейчас HBM в задачах ИИ и высокопроизводительных вычислений.

Как работает Z-Angle Memory

Ключевое новшество ZAM — ступенчатая (Z-угловая) топология межсоединений. В отличие от традиционной HBM, где контакты между слоями DRAM-кристаллов идут строго вертикально, в ZAM они прокладываются по диагонали. Такая схема значительно улучшает теплоотвод: тепло распределяется равномернее, а горячие точки минимизируются. Это особенно критично для плотных стеков памяти в ускорителях ИИ, где тепловые ограничения часто становятся бутылочным горлышком.

Разработчики заявляют о следующих преимуществах по сравнению с текущими решениями HBM:

Снижение энергопотребления на 40–50% — за счёт лучшей терморегуляции и оптимизированной архитектуры. Увеличение ёмкости одного чипа до 512 ГБ (в перспективе — 2–3 раза больше, чем у современных HBM-модулей). Упрощение производства благодаря новой структуре интерконнектов, что потенциально снижает стоимость и повышает выход годных изделий.

Технология опирается на наработки Intel в рамках программы Next Generation DRAM Bonding (NGDB), поддержанной Министерством энергетики США, а также на патенты и экспертизу Университета Токио.

Роли Intel и SAIMEMORY

Intel выступает стратегическим партнёром: предоставляет технологии, инновации, стандарты и участвует в ключевых решениях. SAIMEMORY (создана в 2024–2025 годах как совместный проект SoftBank, Intel и японских партнёров) отвечает за основную разработку, производство и коммерциализацию.

Операционная фаза стартовала в первом квартале 2026 года. Первые прототипы ожидаются в 2027 финансовом году (до марта 2028), а полноценный выход на рынок запланирован на 2029 год (FY2029). Пока речь идёт именно о раннем прототипе — демонстрации концепции, а не о готовом продукте для массового рынка.

Почему это важно сейчас

На фоне хронического дефицита HBM (особенно HBM3E и будущей HBM4), который держит цены высокими и ограничивает масштабирование ИИ-систем, появление реального конкурента могло бы изменить правила игры. ZAM обещает не только большую ёмкость и меньшее потребление, но и потенциально более низкую стоимость производства в долгосрочной перспективе.

Однако эксперты осторожны: технология на очень ранней стадии. До массового производства пройдут годы испытаний, отработки процессов и сертификации. Пересмотр цен на высокопроизводительную память или сдвиг баланса сил в пользу новых игроков (включая Японию) — это пока далёкая перспектива.

Вкратце

Intel и SAIMEMORY (дочка SoftBank) представили на Intel Connection Japan 2026 первый прототип Z-Angle Memory — вертикальной памяти с диагональными межсоединениями для лучшего теплоотвода. ZAM обещает до 512 ГБ на чип, снижение энергопотребления на 40–50% и упрощённое производство по сравнению с HBM. Intel — стратегический партнёр, SAIMEMORY ведёт разработку и коммерциализацию. Прототипы — в 2027 году, массовый выпуск — в 2029-м. Это амбициозный вызов HBM-монополии в эпоху ИИ, но до реального влияния на рынок ещё далеко.

Следите за NEWS.am Tech на Facebook и Twitter